型號(hào): | 2N3711 |
英文描述: | NPN/PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
中文描述: | npn型/進(jìn)步黨硅自動(dòng)對(duì)焦小信號(hào)晶體管 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/2頁(yè) |
文件大小: | 137K |
代理商: | 2N3711 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N4062 | NPN/PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
2N3711 | Small Signal Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N3712 | 制造商:SSI 功能描述: |
2N3713 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GP Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3713 LEADFREE | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GP Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3713_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:EPITAXIAL-BASE TRANSISTORS |
2N3713SMD | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |