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參數資料
型號: 2N3752
廠商: GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111
封裝: TO-111, 3 PIN
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 409K
代理商: 2N3752
相關PDF資料
PDF描述
2N3762 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
2N3763 Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
2N3763 1500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
2N3771 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204MA
2N3771 30 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
相關代理商/技術參數
參數描述
2N3756 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SILICON CONTROLLED RECTIFIER
2N376 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3
2N3762 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 40V 1.5A 3PIN TO-39 - Bulk 制造商:n/a 功能描述:2N3762JAN 制造商:Motorola Inc 功能描述:
2N3762L 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 40V 1.5A 3PIN TO-5 - Bulk
2N3763 功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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