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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N3752 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59 |
| 封裝： | TO-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 594K |
| 代理商： | 2N3752 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2N698 | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N3791 | 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2N3756 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
| 2N376 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
| 2N3762 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 40V 1.5A 3PIN TO-39 - Bulk 制造商:n/a 功能描述:2N3762JAN 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| 2N3762L | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 40V 1.5A 3PIN TO-5 - Bulk |
| 2N3763 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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