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參數資料
| 型號： | 2N3789 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封裝： | TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | 2N3789 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3790SMD | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB |
| 2N3790SMDR4 | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB |
| 2N3790SMD-JQR-AR4 | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB |
| 2N3790SMD-JQR-B | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB |
| 2N3790XSMD-JQR-AR4 | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3789 PBFREE | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述: |
| 2N3789_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:EPITAXIAL-BASE TRANSISTORS |
| 2N3789XSMD | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed |
| 2N379 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
| 2N3790 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GP Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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