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參數資料
型號： 2N3859A
英文描述： SILICON TRANSISTORS
中文描述： 硅晶體管
文件頁數： 1/1頁
文件大小： 56K
代理商： 2N3859A
Small Signal Transistors
TO-92 Case
72
www.centralsemi.com
TYPE NO.
DESCRIPTION
LEAD
VCBO
VCEO
VEBO
ICBO @
(nA)
VCB
hFE
@ VCE @ IC
VCE (SAT) @ IC
Cob
fT
NF
toff
CODE
(V)
(V)
(V)
*ICES
*ICEV
MAX
500
(V)
*hFE
(1kHZ)
MAX
250
(V)
(mA)
(V)
(mA)
(pF)
*Crb
MAX
12
(MHz) (dB)
*VCES
MIN
18
*TYP
MIN
MIN
18
MAX
5.0
MIN
75
MAX MAX
2.8
2N2712
NPN AMPL/SWITCH
ECB
18
- -
- -
- -
- -
- -
2N2714
NPN AMPL/SWITCH
ECB
18
18
5.0
100
18
75
250
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50
1.20
50
- -
- -
- -
- -
2N2923
NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
90
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- -
- -
- -
- -
10
160*
- -
- -
2N2924
NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
150
300*
- -
- -
- -
- -
10
160*
- -
- -
2N2925
NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
235
470*
- -
- -
- -
- -
10
160*
2.8
- -
2N2926
NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
500
18
35
470*
- -
- -
- -
- -
10
120*
2.8
- -
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NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
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500
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2.0
- -
- -
10
120*
5.0
- -
2N3392
NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
150
300
4.50
2.0
- -
- -
10
120*
- -
- -
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NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
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- -
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- -
- -
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NPN LOW NOISE
ECB
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25
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100
25
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- -
- -
10
- -
- -
- -
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NPN LOW NOISE
ECB
25
25
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25
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4.50
2.0
- -
- -
10
- -
- -
- -
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NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
55
500
4.50
2.0
- -
- -
10
- -
- -
- -
2N3398
NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
55
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2.0
- -
- -
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- -
- -
- -
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NPN LOW NOISE
ECB
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25
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- -
- -
- -
2N3416
NPN LOW NOISE
ECB
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50
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- -
- -
- -
2N3417
NPN LOW NOISE
ECB
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50
5.0
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50
180
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2.0
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- -
- -
- -
- -
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PNPAMPL/SWITCH
ECB
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5.0
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- -
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PNPAMPL/SWITCH
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0.05
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- -
- -
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NPN AMPL/SWITCH
ECB
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5.0
100
20
100
300
2.0
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12
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- -
- -
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NPN AMPL/SWITCH
ECB
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30
5.0
100
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12
100
- -
- -
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ECB
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100
12
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- -
- -
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NPN LOW NOISE
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30
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- -
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ECB
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30
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1.0
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- -
- -
5.0
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NPN LOW NOISE
ECB
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30
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1.0
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- -
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- -
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NPN LOW NOISE
ECB
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30
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- -
- -
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NPN LOW NOISE
ECB
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NPN LOW NOISE
ECB
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60
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ECB
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30
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4.50
2.0
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- -
- -
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- -
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- -
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NPN AMPL/ SWITCH
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- -
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EBC
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EBC
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25
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45
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PNPLOW NOISE
ECB
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150
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500
6.5
200
- -
255
Devices are available lead formed,
See pages 216 thru 219 for details.
Also available in Ammopack or Tape & Reel,
See pages 230 thru 235 for details.
相關PDF資料
PDF描述
2N3905 PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
2N2714 Small Signal Transistors
2N2923 Small Signal Transistors
2N3708 Small Signal Transistors
2N3709 Small Signal Transistors
相關代理商/技術參數
參數描述
2N3859A_02 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
2N3859A_D75Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3859A_J05Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3859A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N385A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5
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