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參數資料
| 型號： | 2N3904RLRE |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 16K |
| 代理商： | 2N3904RLRE |
2N3904
Prelim. 7/00
LA B
S E M E
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.ukGENERAL PURPOSE
NPN TRANSISTOR
FOR HIGH RELIABILITY
APPLICATIONS
FEATURES
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN
TRANSISTOR
CECC SCREENING OPTIONS
HIGH SPEED SATURATED SWITCHING
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
D
Collector – Base Voltage
Collector – Emitter Voltage
Emitter – Base Voltage
Collector Current
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance Junction – Ambient
Operating and Storage Temperature Range
@ T
A
=25°C
R
q
JA
T
STG
, T
J
60V
40V
6V
200mA
350mW
3.33mW / °C
300°C/W
–55 to +175°C
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
TO-18 METAL PACKAGE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise stated)
PIN 1 – Emitter
PIN 2 – Base
PIN 3 – Collector
1
3
2
2.54 (0.100)
Nom.
0.48 (0.019)
0.41 (0.016)
dia.
5.84 (0.230)
5.31 (0.209)
4.95 (0.195)
4.52 (0.178)
5
4
1
m
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3904RLRM | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
| 2N3904RLRP | ; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes |
| 2N3904 | NPN General Purpose Amplifier |
| 2N3904 | NPN Silicon Transistor (General small signal application) |
| 2N3904 | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3904RLRM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3904RLRMG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3904RLRP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3904RLRPG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3904RM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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