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參數資料
| 型號： | 2N3906/D26Z-J61Z |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | 2N3906/D26Z-J61Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3906/D75Z-J18Z | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3906/D75Z-J61Z | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3906/D74Z-J60Z | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3906-J05Z | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3906 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3906DCSM | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | LLCC |
| 2N3906E | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
| 2N3906G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3906-G | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關 -40V -200mA TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 2N3906G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
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