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參數資料
| 型號： | 2N3906 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| 中文描述： | 進步黨硅外延平面晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 191K |
| 代理商： | 2N3906 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3906 | SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR |
| 2N3906-AP | SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR |
| 2N3906 | Small Signal Transistors |
| 2N3906 | PNP General Purpose Transistor |
| 2N3906 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3906 GE84-87 | 制造商:GE 功能描述:2N3906 |
| 2N3906 N | 制造商:N 功能描述:2N3906 |
| 2N3906 PBFREE | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述: |
| 2N3906(TE2,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
| 2N3906,116 | 功能描述:TRANS PNP SW HS 200MA 40V TO92 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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