型號: | 2N3906DWP |
廠商: | DIODES INC |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | 0.014 X 0.019 INCH, G7, DIE-2 |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 34K |
代理商: | 2N3906DWP |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2N2219DWP | 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2N3906DWP | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2N4403DWP | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2N3906E | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
2N3906G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3906-G | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 -40V -200mA TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
2N3906G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
2N3906GE8487 | 制造商:GE 功能描述:2N3906 |