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參數資料
| 型號： | 2N3906TRB |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 406K |
| 代理商： | 2N3906TRB |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4402TRB | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3398TRH | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3708TRF | 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3704TRD | 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4287-18R | 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3906U | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:USM PACKAGE |
| 2N3906U_08 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:USM PACKAGE |
| 2N3906V | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:VSM PACKAGE |
| 2N3906ZL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3906ZL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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