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參數資料
| 型號： | 2N3906U |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | USM, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | 2N3906U |
2008. 8. 29
1/4
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
2N3906U
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Revision No : 4
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
Low Leakage Current
: ICEX=-50nA(Max.), IBL=-50nA(Max.)
@VCE=-30V, VEB=-3V.
Excellent DC Current Gain Linearity.
Low Saturation Voltage
: VCE(sat)=-0.4V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA.
Low Collector Output Capacitance
: Cob=4.5pF(Max.) @VCB=-5V.
Complementary to 2N3904U.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
DIM
MILLIMETERS
A
B
D
E
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
USM
2.00 0.20
1.25 0.15
0.90 0.10
0.3+0.10/-0.05
2.10 0.20
0.65
0.15+0.1/-0.06
1.30
0.00-0.10
0.70
C
G
H
J
K
L
K
1
3
2
E
B
D
A
J
G
C
L
H
MM
N
M
0.42 0.10
N
0.10 MIN
+_
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-40
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-40
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5
V
Collector Current
IC
-200
mA
Base Current
IB
-50
mA
Collector Power Dissipation
PC
100
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55
150
Type Name
Marking
Lot No.
ZA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3913 | 200 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N3919 | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N3922 | 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-71 |
| 2N3931 | 100 mA, 180 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N3933 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3906U_08 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:USM PACKAGE |
| 2N3906V | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:VSM PACKAGE |
| 2N3906ZL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3906ZL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3907 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS |
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