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參數資料
| 型號： | 2N3960UB |
| 廠商： | Semicoa Semiconductor |
| 英文描述： | CONNECTOR ACCESSORY |
| 中文描述： | 片式2C3960幾何0003極性npn型 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2N3960UB |
Type 2N3960
Geometry
0003
Polarity NPN
Qual Level: JAN - JANTXV
Data S heet No. 2N3960
Generic Part Number:
2N3960
REF: MIL-PRF-19500/399
Features:
General-purpose low-power NPN
silicon transistor.
Housed in
TO-18
case.
Also available in chip form using
the
0003
chip geometry.
The Min and Max limits shown are
per
MIL-PRF-19500/399
which
Semicoa meets in all cases.
Rating
Symbol
Rating
Unit
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
12
V
Collector-Base Voltage
V
CBO
20
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
4.5
V
Power Dissipation, T
A
= 25
o
C
400
mW
Derate above 25
o
C
2.3
mW/
o
C
Operating Junction Temperature
T
J
-65 to +200
o
C
Storage Temperature
T
STG
-65 to +200
o
C
Maximum Ratings
T
C
= 25
o
C unless otherwise specified
P
T
TO-18
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PDF描述 |
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參數描述 |
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