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參數資料
| 型號： | 2N4003 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 30 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2N4003 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5927 | 100 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-114 |
| 2N4002 | 30 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 2N3150 | 70 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-114 |
| 2N5927 | 100 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-114 |
| 2N5251 | 90 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-114 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N4003K | 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 2N4003NLT1 | 制造商:WILLAS 制造商全稱:WILLAS 功能描述:30V,0.56A, Single, SOT-23 |
| 2N401 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3 |
| 2N4012 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:silicon transistors UHF/VHF power transistors |
| 2N4013 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Curr SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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