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參數資料
| 型號： | 2N4124 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | npn型外延硅晶體管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | 2N4124 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4124 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| 2N4124 | Feed-Thru Capacitor Solder Mount |
| 2N4124 | NPN General Purpose Amplifier |
| 2N4124 | NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW |
| 2N4124 | Small Signal Transistors (NPN) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N4124/E6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| 2N4124/E7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-226AA |
| 2N4124_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
| 2N4124_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4124_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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