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參數資料
型號： 2N4125
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
中文描述： 進步黨外延硅晶體管
文件頁數： 1/1頁
文件大小： 56K
代理商： 2N4125
Small Signal Transistors
TO-92 Case
72
www.centralsemi.com
TYPE NO.
DESCRIPTION
LEAD
VCBO
VCEO
VEBO
ICBO @
(nA)
VCB
hFE
@ VCE @ IC
VCE (SAT) @ IC
Cob
fT
NF
toff
CODE
(V)
(V)
(V)
*ICES
*ICEV
MAX
500
(V)
*hFE
(1kHZ)
MAX
250
(V)
(mA)
(V)
(mA)
(pF)
*Crb
MAX
12
(MHz) (dB)
*VCES
MIN
18
*TYP
MIN
MIN
18
MAX
5.0
MIN
75
MAX MAX
2.8
2N2712
NPN AMPL/SWITCH
ECB
18
- -
- -
- -
- -
- -
2N2714
NPN AMPL/SWITCH
ECB
18
18
5.0
100
18
75
250
0.30
50
1.20
50
- -
- -
- -
- -
2N2923
NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
90
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- -
- -
- -
- -
10
160*
- -
- -
2N2924
NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
150
300*
- -
- -
- -
- -
10
160*
- -
- -
2N2925
NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
235
470*
- -
- -
- -
- -
10
160*
2.8
- -
2N2926
NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
500
18
35
470*
- -
- -
- -
- -
10
120*
2.8
- -
2N3391A
NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
250
500
4.50
2.0
- -
- -
10
120*
5.0
- -
2N3392
NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
150
300
4.50
2.0
- -
- -
10
120*
- -
- -
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NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
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2.0
- -
- -
10
120*
- -
- -
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NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
150
500
4.50
2.0
- -
- -
10
- -
- -
- -
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NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
90
500
4.50
2.0
- -
- -
10
- -
- -
- -
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NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
55
500
4.50
2.0
- -
- -
10
- -
- -
- -
2N3398
NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
100
25
55
800
4.50
2.0
- -
- -
10
- -
- -
- -
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NPN LOW NOISE
ECB
25
25
5.0
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25
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- -
- -
- -
2N3416
NPN LOW NOISE
ECB
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50
5.0
100
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4.50
2.0
0.30
50
- -
- -
- -
- -
2N3417
NPN LOW NOISE
ECB
50
50
5.0
100
50
180
540
4.50
2.0
0.30
50
- -
- -
- -
- -
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PNPAMPL/SWITCH
ECB
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25
5.0
100
20
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5.0
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0.25
50
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100
- -
- -
2N3703
PNPAMPL/SWITCH
ECB
50
30
5.0
100
20
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5.0
0.05
0.25
50
12
100
- -
- -
2N3704
NPN AMPL/SWITCH
ECB
50
30
5.0
100
20
100
300
2.0
50
0.60
100
12
100
- -
- -
2N3705
NPN AMPL/SWITCH
ECB
50
30
5.0
100
20
50
150
2.0
50
0.80
100
12
100
- -
- -
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NPN AMPL/SWITCH
ECB
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20
5.0
100
20
30
600
2.0
50
1.0
100
12
100
- -
- -
2N3707
NPN LOW NOISE
ECB
30
30
6.0
100
20
100
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5.0
1.0
1.0
10
- -
- -
5.0
- -
2N3708
NPN LOW NOISE
ECB
30
30
6.0
100
20
45
660
5.0
1.0
1.0
10
- -
- -
5.0
- -
2N3709
NPN LOW NOISE
ECB
30
30
6.0
100
20
45
165
5.0
1.0
1.0
10
- -
- -
5.0
- -
2N3710
NPN LOW NOISE
ECB
30
30
6.0
100
20
90
330
5.0
1.0
1.0
10
- -
- -
5.0
- -
2N3711
NPN LOW NOISE
ECB
30
30
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100
20
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660
5.0
1.0
1.0
10
- -
- -
5.0
- -
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NPN LOW NOISE
ECB
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60
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- -
5.0
- -
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NPN LOW NOISE
ECB
30
30
4.0
50
30
150
300
4.50
2.0
0.125
10
4.0
90
- -
- -
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NPN AMPL/SWITCH
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40
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30
50
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1.0
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4.0
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225
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NPN AMPL/SWITCH
EBC
60
40
6.0
50*
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300
1.0
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1.0
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EBC
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50*
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- -
- -
5.0
- -
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NPN AMPL/SWITCH
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50
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1.0
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6.0
- -
2N4124
NPN AMPL/ SWITCH
EBC
30
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5.0
50
20
120
360
1.0
2.0
0.30
50
4.0
300
5.0
- -
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PNP AMPL/SWITCH
EBC
30
30
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150
1.0
2.0
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200
5.0
- -
2N4126
PNPAMPL/SWITCH
EBC
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25
4.0
50
20
120
360
1.0
2.0
0.40
50
4.5
250
4.0
- -
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NPN SATSWITCH
EBC
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4.0
350
- -
35
2N4287
NPN LOW NOISE
ECB
45
45
7.0
10
30
150
600
5.0
1.0
0.35
1.0
6.0
40
5.0
- -
2N4289
PNPLOW NOISE
ECB
60
45
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10
45
150
600
0.35
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0.80
1.0
8.0
40
4.0
- -
2N4400
NPN AMPL/SWITCH
EBC
60
40
6.0
100*
35
50
150
1.0
150
0.75
500
6.5
200
- -
255
Devices are available lead formed,
See pages 216 thru 219 for details.
Also available in Ammopack or Tape & Reel,
See pages 230 thru 235 for details.
相關PDF資料
PDF描述
2N3905 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2N3905 NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications
2N4264 General Purpose Transistor(NPN Silicon)
2N3416 NPN General Purpose Amplifier
2N4125 PNP General Purpose Amplifier
相關代理商/技術參數
參數描述
2N4125_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier
2N4125_D11Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4125_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4125_D29Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4125_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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