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參數資料
| 型號： | 2N4233A |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Power Transistors |
| 中文描述： | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 封裝： | TO-66, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 2N4233A |
Power Transistors
TO-66 Case
86
www.centralsemi.com
Shaded areas indicate Darlington.
TYPE NO.
IC
(A)
MAX
PD
(W)
BVCBO
(V)
MIN
BVCEO
(V)
MIN
hFE
@ IC
(A)
VCE(SAT)
(V)
MAX
@ IC
(A)
fT
(MHz)
MIN
NPN
PNP
MIN
MAX
2N3054
2N3054A
2N3583
2N3584
2N3585
2N3738
2N3739
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
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35
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25
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40
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55
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80
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40
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80
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350
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350
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60
80
60
80
80
60
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60
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25
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30
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- -
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160
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- -
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18,000
18,000
18,000
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100
100
100
100
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200
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150
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0.5
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0.1
0.1
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1.0
1.0
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2.5
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0.75
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0.6
0.6
0.6
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2.0
4.0
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4.0
1.0
0.9
0.9
0.75
0.6
0.6
0.6
0.7
0.7
0.7
0.7
1.4
1.6
2.0
1.5
0.5
1.2
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
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2.5
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3.0
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0.8
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2N6467
2N6468
2N6465
2N6466
40312
CM3441
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6049 | Power Transistors |
| 2N3766 | Power Transistors |
| 2N6049 | 4 AMPERE POWER TRANSISTOR PNP SILICON |
| 2N3766 | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
| 2N6260 | Bipolar NPN Device |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N4234 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4235 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -60V TO-39 |
| 2N4236 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4236A | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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