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參數資料
| 型號： | 2N4233LEADFREE |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 封裝： | TO-66, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 2N4233LEADFREE |
Power Transistors
TO-66 Case
www.centr alsemi.com
Shaded areas indicate Darlington.
TYPE NO.
IC
PD
BVCBO
BVCEO
hFE
@ IC VCE(SAT) @ IC
fT
(A)
(W)
(V)
(A)
(V)
(A)
(MHz)
NPN
PNP
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MIN
MAX
MIN
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- -
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0.2
(6-December 2004)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3741ALEADFREE | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N6467LEADFREE | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N4898LEADFREE | 1 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N4231LEADFREE | 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N5430LEADFREE | 7 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N4234 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4235 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -60V TO-39 |
| 2N4236 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4236A | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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