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參數資料
| 型號： | 2N4401-T92-B |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| 中文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | 2N4401-T92-B |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2N4401
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 6
QW-R201-052,B
NPN GENERAL PURPOS E
AMPLIFIER
DES CRIPT ION
The UTC
2N4401
is designed for use as a medium power
amplifier and switch requiring collector currents up to 500mA.
TO-92
1
*Pb-free plating product number: 2N4401L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
E
B
E
B
Normal
2N4401-T92-B
2N4401-T92-K
Lead Free Plating
2N4401L-T92-B
2N4401L-T92-K
Package
3
C
C
Packing
TO-92
TO-92
Tape Box
Bulk
2N4401L-T92-R
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Lead Plating
(1) B: Tape Box, K: Bulk
(2) T92: TO-92
(3) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4401-T92-K | NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| 2N4401 | NPN switching transistor( NPN開關晶體管) |
| 2N4401 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2n4401 | TO-92 Plastic-Encapsulated Transistors |
| 2N4401 | NPN PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N4401-T92-K | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| 2N4401T93 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SW NPN 40V 0.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4401TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4401TA_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4401TAR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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