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參數資料
| 型號： | 2N442 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 15A I(C) | TO-36 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 15A條一（c）|至36 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | 2N442 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N574A | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | STR-1/4 |
| 2N5894 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66 |
| 2N5896 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66 |
| 2N5898 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66 |
| 2N5900 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-66 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N4421 | 制造商:Texas Instruments 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-92VAR |
| 2N4424 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4425 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SILICON TRANSISTORS |
| 2N4427 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VHF/UHF AM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4428 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:silicon transistors UHF/VHF power transistors |
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