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參數資料
| 型號： | 2N4915 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封裝： | TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 2398K |
| 代理商： | 2N4915 |
COPYRIGHT 2010 Information Handling Services
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4916 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-106 |
| 2N4918 | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA |
| 2N4918 | PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N5195 | 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N6489 | 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N4916 | 制造商: 功能描述: 制造商:K ELECTRONICS INC. 功能描述: 制造商:K-ELEC 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:SILICON TRANSISTOR 制造商:ETC 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-106VAR |
| 2N4917 | 制造商:n/a 功能描述:2N4917 ASI GOLD LDS N7D4B 制造商:ELCIND 功能描述: |
| 2N4918 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4918 LEDFREE | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4918/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Medium-Power Plastic PNP Silicon Transistors |
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