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參數資料
型號: 2N491B
英文描述: UNIJUNCTION TRANSISTOR|6UA I(P)|TO-5
中文描述: 單結晶體管| 6UA余性(P)|至5
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 11K
代理商: 2N491B
2
1
3
2.41 (0.095)
(0.030)
min.
0.127 (0.005)
(0.296)
0
(
m
3.175 (0.125)
Max.
0.50 (0.020)
max.
0.76
2.41 (0.095)
0.127 (0.005)
(0.286)
7.26
16 PLCS
0.50(0.020)
0.127 (0.005)
2N4912XSMD05
Bipolar NPN Device.
V
CEO
= 80V
I
C
= 4A
All Semelab hermetically sealed products
can be processed in accordance with the
requirements of BS, CECC and JAN,
JANTX, JANTXV and JANS specifications
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
CEO
*
80
V
I
C(CONT)
4
A
h
FE
@ 1/0.5 (V
CE
/ I
C
)
20
175
-
f
t
3M
Hz
P
D
15
W
* Maximum Working Voltage
This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact
sales@semelab.co.uk
.
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
Generated
15-Aug-02
Bipolar NPN Device in a
Hermetically sealed
Ceramic Surface Mount
Package for High
Reliability Applications
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Dimensions in mm (inches).
PINOUTS
1 – Base
2 – Collector
3 – Emitter
SMD0.5 (TO276AA)
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PDF描述
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2N6375 TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-18
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2N4911XSMD05 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | SMT
相關代理商/技術參數
參數描述
2N492 制造商:TI 功能描述:2N492
2N4920 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4920 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-126 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -80V
2N4920G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4921 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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