- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄33256 > 2N4921 (ADVANCED SEMICONDUCTOR INC) 1 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2N4921 |
| 廠商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | 2N4921 |
IPN= 0258354 0000047 629
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4918 | 1 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N4920 | 1 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N4957 | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72 |
| 2N4900 | 1 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N4959 | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N4921/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors |
| 2N4921_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Medium−Power Plastic NPN Silicon Transistors |
| 2N4921G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4922 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4922G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。