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參數資料
| 型號： | 2N4921 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-126VAR, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | 2N4921 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4926 | 50 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5092 | 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5098 | 1 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N4927 | 50 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N3742 | 50 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N4921/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors |
| 2N4921_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Medium−Power Plastic NPN Silicon Transistors |
| 2N4921G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4922 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4922G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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