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參數資料
| 型號： | 2N4922 |
| 廠商： | SEMITRONICS CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-126VAR, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 2N4922 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4923 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA |
| 2N4925.MOD | 200 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N4928.MOD | 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N4928.MODE1 | 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N4928CSM | 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N4922G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4923 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4923 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126 |
| 2N4923G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4923NSC | 制造商:National Semiconductor 功能描述:2N4923 |
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