型號: | 2N5055 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-222AB |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進步黨| 12V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至222AB |
文件頁數: | 1/3頁 |
文件大小: | 324K |
代理商: | 2N5055 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2N5378 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
2N5379 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR |
2N547 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-5 |
2N497A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
2N498A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
2N5056 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
2N5057 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
2N5058 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5059 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5060 | 功能描述:SCR 0.8A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |