型號: | 2N5058 |
廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | NPN SILICON TRANSISTOR |
中文描述: | 150 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
封裝: | TO-39, 3 PIN |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 81K |
代理商: | 2N5058 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2N5059 | NPN SILICON TRANSISTOR |
2N5064 | Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
2N5064 | Sensitive SCRs |
2N5064 | SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) |
2N5064 | 0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2N5059 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5060 | 功能描述:SCR 0.8A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
2N5060/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers |
2N5060G | 功能描述:SCR THY 0.8A 30V SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
2N5060RL1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |