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參數資料
型號: 2N5058
廠商: MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 150 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 63K
代理商: 2N5058
相關PDF資料
PDF描述
2N4927 50 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
2N4926 50 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
2N5058 150 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
2N4271 1000 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
2N1700 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39
相關代理商/技術參數
參數描述
2N5059 功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5060 功能描述:SCR 0.8A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N5060/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers
2N5060G 功能描述:SCR THY 0.8A 30V SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N5060RL1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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