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參數資料
| 型號： | 2N5062 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Silicon Controlled Rectifier Reverse Blocking Thyristor(硅控整流器反向截止晶閘管) |
| 中文描述： | 0.8 A, 100 V, SCR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2N5062 |
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005
January, 2005 Rev. 7
1
Publication Order Number:
2N5060/D
2N5060 Series
Preferred Device
Sensitive Gate
Silicon Controlled Rectifiers
Reverse Blocking Thyristors
Annular PNPN devices designed for high volume consumer
applications such as relay and lamp drivers, small motor controls, gate
drivers for larger thyristors, and sensing and detection circuits.
Supplied in an inexpensive plastic TO92/TO-226AA package which
is readily adaptable for use in automatic insertion equipment.
Features
Sensitive Gate Trigger Current 200 A Maximum
Low Reverse and Forward Blocking Current 50 A Maximum,
T
C
= 110
°
C
Low Holding Current 5 mA Maximum
Passivated Surface for Reliability and Uniformity
Device Marking: Device Type, e.g., 2N5060, Date Code
PbFree Packages are Available*
*For additional information on our PbFree strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
SILICON CONTROLLED
RECTIFIERS
0.8 A RMS, 30 200 V
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
3
2
1
K
G
A
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 6 of this data sheet.
ORDERING INFORMATION
TO92
CASE 29
STYLE 10
50xx
Y
WW
Specific Device Code
= Year
= Work Week
MARKING
DIAGRAM
2N
50xx
YWW
PIN ASSIGNMENT
1
2
3
Gate
Anode
Cathode
http://onsemi.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5066 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-46 |
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| 2N5076 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
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| 2N5103 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5062G | 功能描述:SCR 100V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| 2N5062RLRA | 功能描述:SCR 100V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| 2N5062RLRAG | 功能描述:SCR 100V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| 2N5063 | 功能描述:SCR 0.8A 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
| 2N5064 | 功能描述:SCR 0.8A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
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