型號: | 2N5063 |
廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 晶閘管 |
英文描述: | 0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts |
中文描述: | 0.8 A, 150 V, SCR, TO-92 |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 31K |
代理商: | 2N5063 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2N5060 | 0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts |
2N5061 | 0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts |
2N3004 | 0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts |
2N3005 | 0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts |
2N3006 | 0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2N5064 | 功能描述:SCR 0.8A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
2N5064,112 | 功能描述:SCR BULK SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
2N5064G | 功能描述:SCR THY 0.8A 200V SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
2N5064RLRA | 功能描述:SCR 200V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |
2N5064RLRAG | 功能描述:SCR 200V 800mA Thyristor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉折電流 IBO:480 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube |