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參數資料
型號: 2N5088
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: Mini size of Discrete semiconductor elements
中文描述: 迷你型離散半導體元件
文件頁數: 1/8頁
文件大?。?/td> 49K
代理商: 2N5088
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Jul 03
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Sep 03
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2N5088
NPN general purpose transistor
book, halfpage
M3D186
相關PDF資料
PDF描述
2N5088 Amplifier Transistor(NPN Silicon)
2N5088 NPN General Purpose Amplifier
2N5089 PNP/NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS
2N5089 Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued)
2N5089 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
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2N5088_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors NPN Silicon
2N5088_12 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
2N5088_D11Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5088_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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