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參數資料
型號： 2N5189
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Small Signal Transistors
中文描述： 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
封裝： TO-39, 3 PIN
文件頁數： 1/1頁
文件大小： 56K
代理商： 2N5189
Small Signal Transistors
TO-39 Case (Continued)
64
www.centralsemi.com
TYPE NO.
DESCRIPTION
VCBO
(V)
VCEO
(V)
VEBO
(V)
ICBO @
(
μ
A)
VCB
(V)
hFE
@ IC @ VCEVCE (SAT) @ IC
(mA)
(V)
fT
Cob
(pF)
ton
(ns)
toff
(ns)
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(V)
(mA)
(MHz)
(dB)
*VCER
*ICEO
**ICES
***ICEV
****ICER
*TYP
*TYP
*TYP
*TYP
*TYP
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MIN
MIN
MIN
MAX
MAX
MIN
MAX
MAX
MAX
MAX
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PNPHIGH VOLTAGE
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200
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20
200
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10
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20
20
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- -
- -
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PNPHIGH VOLTAGE
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250
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20
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20
- -
- -
- -
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- -
- -
- -
- -
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NPN AMPL/SWITCH
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60
6.5
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- -
- -
- -
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- -
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3.0
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- -
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- -
- -
- -
- -
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- -
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60
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- -
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- -
- -
相關PDF資料
PDF描述
2N5782 PHILLIPS SCREW; THREAD SIZE: #3-56; LENGTH (INCHES): 3/8"; MATERIAL: STAINLESS STEEL; *100 PIECES PER PACKAGE*
2N5147 Small Signal Transistors
2N5148 Small Signal Transistors
2N5149 Small Signal Transistors
2N5150 Small Signal Transistors
相關代理商/技術參數
參數描述
2N519 制造商:ETCO 功能描述:
2N5190 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 4A TO-225AA RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2N5190G 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 4A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5191 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5191 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR, NPN TO-126
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