- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄49856 > 2N5192 (ADVANCED SEMICONDUCTOR INC) 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2N5192 |
| 廠商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-126VAR, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | 2N5192 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5191 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5192 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N3054A | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5193 | 4 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N5190 | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5192 SL H | 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH TO126 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態:新產品 標準包裝:50 |
| 2N5192 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126 |
| 2N5192G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5192R | 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH TO126 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態:生命周期結束 標準包裝:1,000 |
| 2N5193 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTORPNP1A40VTO126 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR,PNP,1A,40V,TO126 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency Typ ft:2MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。