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參數資料
| 型號： | 2N5194 |
| 廠商： | SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-126VAR, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | 2N5194 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5194 | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5194 | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N5195 | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5210/D10Z | 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5961/D28Z | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5194/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
| 2N5194_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
| 2N5194G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 60V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5194G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| 2N5195 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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