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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5195 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Medium Power PNP Silicon Transistor(PNP硅晶體管) |
| 中文描述： | 中功率硅晶體管進(jìn)步黨（民進(jìn)黨硅晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 2N5195 |
2N5195
MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE
I
PNP TRANSISTOR
APPLICATIONS
I
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
DESCRIPTION
The 2N5195 is a silicon epitaxial-base PNP
transistorin JedecSOT-32 plastic package.
It is inteded for use in medium power linear and
switching applications.
The complementaryNPN typeis 2N5192.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
-80
Unit
V
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
-80
-5
V
V
-4
-7
A
A
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Storage Temperature
-1
A
40
W
o
C
o
C
-65 to 150
Max. Operating Junction Temperature
150
3
21
SOT-32
1/5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5195 | PNP SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
| 2N5193 | PNP SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
| 2N5194 | PNP SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
| 2N5196 | Monolithic N-Channel JFET Duals |
| 2N5197 | Monolithic N-Channel JFET Duals |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5195 SL H | 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| 2N5195 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-126 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -80V 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bipolar Transistor 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, 80V, 4A, TO-126-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V |
| 2N5195_00 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR |
| 2N5195G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5196 | 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
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