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參數資料
型號: 2N5197-E3
廠商: VISHAY SILICONIX
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-71
封裝: LEAD FREE, HERMETIC SEALED PACKAGE-6
文件頁數: 1/6頁
文件大?。?/td> 249K
代理商: 2N5197-E3
相關PDF資料
PDF描述
2N5246 VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
2N5301 30 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2N5302 30 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N5306 300 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-98
2N5307 300 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-98
相關代理商/技術參數
參數描述
2N5198 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2N5198-E3 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2N5199 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2N5199-E3 功能描述:JFET 50V 15pA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2N520 制造商:. 功能描述:
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