型號: | 2N5224 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 12V的五(巴西)總裁| 200mA的一(c)|至92 |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 240K |
代理商: | 2N5224 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2N5142 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-105 |
2N5354 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
2N5151-220M | PNP |
2N5152SMD05 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
2N5152U3 | NPN |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2N5225 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5226 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5226 LEADFREE | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS sistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5227 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) |
2N5228 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 5V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |