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參數資料
| 型號： | 2N5301 |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(200W) |
| 中文描述： | 30 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封裝： | TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 178K |
| 代理商： | 2N5301 |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5302 | NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) |
| 2N5301 | POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| 2N5302 | POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| 2N5303 | POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| 2N5302 | NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5301 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 40V TO-3 |
| 2N5301_TO-18 | 制造商:MICROSS 制造商全稱:MICROSS 功能描述:a very High Input Impedance N-Channel JFET amplifier |
| 2N5301_TO-72 | 制造商:MICROSS 制造商全稱:MICROSS 功能描述:a very High Input Impedance N-Channel JFET amplifier |
| 2N5302 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5302/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High-Power NPN Silicon Transistor |
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