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參數資料
| 型號： | 2N5302 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 30 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | 2N5302 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5745 | 20 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5301 | 30 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5303 | 20 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5301 | 30 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5302R1 | 30 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5302/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High-Power NPN Silicon Transistor |
| 2N5302_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High−Power NPN Silicon Transistor |
| 2N5302G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5302G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| 2N5302J | 制造商: 功能描述: |
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