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參數資料
| 型號： | 2N5303 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | 2N5303 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6250 | 15 A, 275 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6250 | 10 A, 275 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
| 2N6251 | 10 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
| 2N6249 | 10 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA |
| 2N6250 | 10 A, 275 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5303 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 80V TO-3 |
| 2N5304 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-210AC |
| 2N5304A | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07091 |
| 2N5305 | 制造商:GESS 制造商全稱:GESS 功能描述:SILICON DARLINGTON TRANSISTORS |
| 2N5306 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Darl Amp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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