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參數資料
型號: 2N5306-18F
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92-18F, 3 PIN
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 406K
代理商: 2N5306-18F
相關PDF資料
PDF描述
2N5550TRG 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5831TRC 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5772-5F 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5769-18R 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N6426TRC 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關代理商/技術參數
參數描述
2N5306A 制造商:GESS 制造商全稱:GESS 功能描述:SILICON DARLINGTON TRANSISTORS
2N5307 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N5307_02 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
2N5307_D74Z 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N5307_Q 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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