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參數資料
| 型號： | 2N5320 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 10 Watt NPN-PNP Silicon Power |
| 中文描述： | 10瓦特npn型，進步黨穎電 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 2N5320 |
2N5320
2N5321
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
I
SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN
TRANSISTORS
I
MEDIUM POWER AMPLIFIER
I
PNP COMPLEMENTS ARE 2N5322 AND
2N5323
DESCRIPTION
The 2N5320 and 2N5321 are silicon epitaxial
planar NPN transistors in Jedec TO-39 metal
case.
They
are
especially
high-voltage
medium power application in
industrial and commercial equipments.
The complementary PNP types are respectively
the 2N5322 and 2N5323
intended
for
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
TO-39
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
2N5320
100
100
75
6
2N5321
75
75
50
5
V
CBO
V
CEV
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
P
tot
T
stg
, T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 1.5V)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Dissipation at T
amb
= 25
o
C
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage and Junction Temperature
V
V
V
V
A
A
A
W
W
o
C
1.2
2
1
1
10
-65 to 200
1/4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5321 | 10 Watt NPN-PNP Silicon Power |
| 2N5329 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 90V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AC |
| SVT250-3C | Silicon Bridge Rectifiers |
| SVT250-5C | TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
| SVT300-3C | TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5320 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:Bipolar Transistor |
| 2N5320_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| 2N5320MC | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-39 |
| 2N5321 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-39 NPN GEN PUR SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5322 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 75V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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