型號: | 2N5337A-220M |
英文描述: | NPN Epitaxial Base Transistor(TO220 Metal Package)(NPN外延晶體管(TO220 金屬封裝,高可靠性)) |
中文描述: | npn型外延基區晶體管(金屬的TO220封裝)(npn型外延晶體管(的TO220金屬封裝,高可靠性)) |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 16K |
代理商: | 2N5337A-220M |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2N5339 | Silicon NPN Transistor(硅NPN晶體管) |
2N5365 | SILICON TRANSISTORS |
2N5366 | SILICON TRANSISTORS |
2N5366 | Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) |
2N5366 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
2N5337X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-39 |
2N5338 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 100V 5A 3PIN TO-39 - Bulk |
2N5338X | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:NPN SILICON TRANSISTORS |
2N5338X_01 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:NPN SILICON TRANSISTORS |
2N5339 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Current RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |