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參數資料
| 型號： | 2N5361 |
| 廠商： | SOLITRON DEVICES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | 2N5361 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4302 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N4341 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-18 |
| 2N4221 | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
| 2N4222A | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
| 2N5457 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5362 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| 2N5363 | 制造商:INTERFET 制造商全稱:INTERFET 功能描述:N - CHANNEL JFETS GENERAL - PURPOSE DEVICE TYPES |
| 2N5364 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 18MA I(DSS) | TO-72 |
| 2N5365 | 制造商:GESS 制造商全稱:GESS 功能描述:SILICON TRANSISTORS |
| 2N5366 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Switch Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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