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參數資料
| 型號： | 2N5364 |
| 廠商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2N5364 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5359 | 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
| 2N5374 | 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N5384 | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
| 2N5388 | 7.5 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 2N5398 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5365 | 制造商:GESS 制造商全稱:GESS 功能描述:SILICON TRANSISTORS |
| 2N5366 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Switch Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5366 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| 2N5366_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5366_D27Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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