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參數資料
| 型號： | 2N5400 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | IC CPLD9_PROGRAMMED TQFP100 |
| 中文描述： | 進步黨外延硅晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | 2N5400 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5400 | PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications |
| 2N5400 | Amplifier Transistor(PNP Silicon) |
| 2N5400 | PNP General Purpose Amplifier |
| 2N5401-C-AB3-B | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
| 2N5401-A-AB3-B | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5400 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Transistor |
| 2N5400/D | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Amplifier Transistor PNP |
| 2N5400_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier |
| 2N5400_98 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE |
| 2N5400_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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