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參數資料
型號: 2N5401
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
中文描述: 進步黨外延硅晶體管
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 145K
代理商: 2N5401
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PDF描述
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參數描述
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2N5401,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5401,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5401 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-92
2N5401/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistors PNP Silicon
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