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參數資料
| 型號： | 2N5412 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 封裝： | TO-61, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 83K |
| 代理商： | 2N5412 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6315 | 7 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N4211 | 20 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 2N6047 | 20 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 2N5840 | 3 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5006 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5414 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package |
| 2N5414CECC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN |
| 2N5415 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5415 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| 2N5415_00 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SILICON PNP TRANSISTORS |
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