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參數資料
| 型號： | 2N5415LCC3-JQR-A |
| 廠商： | SEMELAB LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 封裝： | TO-39, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2N5415LCC3-JQR-A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5415G4 | 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5415 | 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5415 | 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5415 | 1000 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N3636 | 1000 mA, 175 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5415MOT | 制造商:Motorola 功能描述:2N5415 |
| 2N5415S | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
| 2N5415SJAN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 2N5415UA | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 200V 1A 4PIN UA - Bulk |
| 2N5416 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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