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參數(shù)資料
| 型號： | 2N5415S |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | High-Voltage Amplifier(高壓放大器(硅平面外延工藝PNP晶體管)) |
| 中文描述： | 高電壓放大器（高壓放大器（硅平面外延工藝進(jìn)步黨晶體管）） |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | 2N5415S |
2N5415S
October 1988
HIGH-VOLTAGE AMPLIFIER
The 2N5415S is a silicon planar epitaxial PNP tran-
sistor in Jedec TO-39 metal case, intended for high
vol-tage switching and linear amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
P
tot
Parameter
Value
– 200
– 200
– 4
– 1
1
10
– 55 to 200
Unit
V
Collector-base Voltage (I
E
= 0)
Collector-emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-base Voltage (I
C
= 0)
Collector Peak Current
Total Power Dissipation at T
amb
≤
25
°
C
V
V
A
W
W
°
C
at T
case
≤
25
°
C
T
stg
, T
j
Storage and Junction Temperature
DESCRIPTION
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
TO-39
1/4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5415 | Silicon PNP Transistors(PNP硅晶體管) |
| 2N5416 | Silicon PNP Transistors(PNP硅晶體管) |
| 2N5427 | POWER TRANSISTORS(7A,40W) |
| 2N5427 | Power Transistors |
| 2N5428 | Power Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5415SJAN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 2N5415UA | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 200V 1A 4PIN UA - Bulk |
| 2N5416 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5416 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR PNP RF TO-39 |
| 2N5416CSM4 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR |
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