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參數(shù)資料
型號(hào): 2N5550-18FLEADFREE
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92-18F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/6頁(yè)
文件大小: 406K
代理商: 2N5550-18FLEADFREE
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PDF描述
2N3703-5T 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4410TRC 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4264TRH 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4287-5T1 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5209-5T 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
2N5550BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5550G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5550G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR BJT NPN 140V 0.6A TO-92 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, BJT, NPN, 140V, 0.6A, TO-92 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR, BJT, NPN, 140V, 0.6A, TO-92, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:140V, Transition Frequency ft:300MHz, Power Dissipation Pd:625mW, DC Collector Current:600mA, DC Current Gain hFE:60, Operating , RoHS Compliant: Yes
2N5550RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5550RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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